Transcend TS512MSYV505
Transcend TS512MSYV505 - описание
1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS512MSYV505 - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 333 МГц |
| Пропускная способность | 2700 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | есть |
| Буферизованная (Registered) | да |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 2.5 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 8, односторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 2.5 В |
| Количество ранков | 1 |
| Совместимость | Vaio PCG-V505MLP/MSP/MTP |
