Transcend TS512MSI650
Transcend TS512MSI650 - описание
2 модуля памяти RDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор RIMM, 184-контактный, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения
Transcend TS512MSI650 - характеристики
Общие характеристики |
Тип памяти | RDRAM |
Форм-фактор | RIMM 184-контактный |
Объем | 2 модуля по 256 Мб |
Поддержка ECC | есть |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Дополнительно |
Радиатор | есть |