Team Group TSDR512M400C25
Team Group TSDR512M400C25 - описание
1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Team Group TSDR512M400C25 - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | SODIMM |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Пропускная способность | 3200 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 2.5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 7 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 8 |
