Каталог описаний

Super Talent T800SB2G/V

Super Talent T800SB2G/V - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5

Super Talent T800SB2G/V - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота800 МГц
Пропускная способность6400 Мб/с
Объем1 модуль 2 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)5
Дополнительно
Напряжение питания1.8 В