Каталог описаний

Silicon Power SP256MBLRU533K02

Silicon Power SP256MBLRU533K02 - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц

Silicon Power SP256MBLRU533K02 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота533 МГц
Пропускная способность4200 Мб/с
Объем1 модуль 256 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля8, односторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В