Каталог описаний

Silicon Power SP256MBLDU400K02

Silicon Power SP256MBLDU400K02 - описание

1 модуль памяти DDR, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3

Silicon Power SP256MBLDU400K02 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторDIMM 184-контактный
Тактовая частота400 МГц
Пропускная способность3200 Мб/с
Объем1 модуль 256 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)3
RAS to CAS Delay (tRCD)3
Row Precharge Delay (tRP)3
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля8, односторонняя упаковка
Напряжение питания2.5 В