Silicon Power SP006GBLYU213S3B
Silicon Power SP006GBLYU213S3B - описание
3 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Silicon Power SP006GBLYU213S3B - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 2133 МГц |
| Пропускная способность | 17066 Мб/с |
| Объем | 3 модуля по 2 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 9 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.65 В |
| Радиатор | есть |
| Количество ранков | 2 |
