Каталог описаний

Silicon Power SP002GBRTE133S01

Silicon Power SP002GBRTE133S01 - описание

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, поддержка ECC

Silicon Power SP002GBRTE133S01 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1333 МГц
Пропускная способность10600 Мб/с
Объем1 модуль 2 Гб
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)да
Низкопрофильная (Low Profile)нет