Каталог описаний

Silicon Power SP001GBSRU533O02

Silicon Power SP001GBSRU533O02 - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 5

Silicon Power SP001GBSRU533O02 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота533 МГц
Пропускная способность4200 Мб/с
Объем1 модуль 1 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)5
RAS to CAS Delay (tRCD)5
Row Precharge Delay (tRP)5
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля16
Напряжение питания1.8 В