Silicon Power SP001GBLTU106S02
Silicon Power SP001GBLTU106S02 - описание
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, CAS Latency (CL): 7
Silicon Power SP001GBLTU106S02 - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 1066 МГц |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 7 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 8 |
| Напряжение питания | 1.5 В |
