Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb
Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb - описание
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
