Qimonda IMSH51E03A1F1C-10G
Qimonda IMSH51E03A1F1C-10G - описание
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 8
Qimonda IMSH51E03A1F1C-10G - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 1066 МГц |
| Пропускная способность | 8500 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | есть |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 8 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 8 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 8 |
| Дополнительно |
| Количество ранков | 1 |
