PNY Verto Dimm DDR 550MHz kit 1GB
PNY Verto Dimm DDR 550MHz kit 1GB - описание
2 модуля памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 550 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 2.5
PNY Verto Dimm DDR 550MHz kit 1GB - характеристики
Общие характеристики |
Тип памяти | DDR |
Форм-фактор | DIMM 184-контактный |
Тактовая частота | 550 МГц |
Пропускная способность | 4400 Мб/с |
Объем | 2 модуля по 512 Мб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги |
CAS Latency (CL) | 2.5 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 3 |
Row Precharge Delay (tRP) | 3 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 7 |
Дополнительно |
Напряжение питания | 2.7 В |
Радиатор | есть |
Дополнительная информация | напряжение питания 2.7-2.9В |