PNY Verto Dimm DDR 550MHz kit 1GB
PNY Verto Dimm DDR 550MHz kit 1GB - описание
2 модуля памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 550 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 2.5
PNY Verto Dimm DDR 550MHz kit 1GB - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | DIMM 184-контактный |
| Тактовая частота | 550 МГц |
| Пропускная способность | 4400 Мб/с |
| Объем | 2 модуля по 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 2.5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 3 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 3 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 7 |
| Дополнительно |
| Напряжение питания | 2.7 В |
| Радиатор | есть |
| Дополнительная информация | напряжение питания 2.7-2.9В |
