Каталог описаний

OCZ OCZ2SOE8001GK

OCZ OCZ2SOE8001GK - описание

2 модуля памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5

OCZ OCZ2SOE8001GK - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота800 МГц
Пропускная способность6400 Мб/с
Объем2 модуля по 512 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)5
RAS to CAS Delay (tRCD)5
Row Precharge Delay (tRP)5
Activate to Precharge Delay (tRAS)12
Дополнительно
Напряжение питания2.1 В
Радиаторесть