Каталог описаний

OCZ OCZ2P800R2512

OCZ OCZ2P800R2512 - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 4

OCZ OCZ2P800R2512 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота800 МГц
Пропускная способность6400 Мб/с
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)4
RAS to CAS Delay (tRCD)4
Row Precharge Delay (tRP)4
Activate to Precharge Delay (tRAS)15
Дополнительно
Напряжение питания1.9 В
Радиаторесть
Дополнительная информациянапряжение питания 1.9-2.1В, поддержка технологии Extended Voltage Protection, ATI CrossFire Certified