Каталог описаний

Nanya NT1GT64U8HB0BN-25D

Nanya NT1GT64U8HB0BN-25D - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6

Nanya NT1GT64U8HB0BN-25D - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота800 МГц
Пропускная способность6400 Мб/с
Объем1 модуль 1 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)6
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В
Количество ранков2