Каталог описаний

Mushkin 991513

Mushkin 991513 - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5

Mushkin 991513 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота667 МГц
Пропускная способность5300 Мб/с
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)5
RAS to CAS Delay (tRCD)5
Row Precharge Delay (tRP)5
Activate to Precharge Delay (tRAS)15
Дополнительно
Напряжение питания1.8 В