Kingston M6464B250
Kingston M6464B250 - описание
1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 266 МГц
Kingston M6464B250 - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 266 МГц |
| Пропускная способность | 2100 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Дополнительно |
| Совместимость | 91.43U29.003 (Acer); 5000639 (Gateway); AN*A000009500 (NEC); AP*A000033800 (NEC); PK-UG-M037 (NEC); CF-WMBA20512 (Panasonic); CF-WMBA30512 (Panasonic); SMM-512D266E/E (Samsung) |
