Каталог описаний

Kingston M3264B250

Kingston M3264B250 - описание

1 модуль памяти DDR, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 266 МГц

Kingston M3264B250 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота266 МГц
Пропускная способность2100 Мб/с
Объем1 модуль 256 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Дополнительно
Напряжение питания2.5 В
СовместимостьAcer TravelMate 630, 632, 633 Series; MiTAC MiNote 8500; MiTAC MiNote 8575