Kingston M3264B250
Kingston M3264B250 - описание
1 модуль памяти DDR, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 266 МГц
Kingston M3264B250 - характеристики
Общие характеристики |
Тип памяти | DDR |
Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Тактовая частота | 266 МГц |
Пропускная способность | 2100 Мб/с |
Объем | 1 модуль 256 Мб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Дополнительно |
Напряжение питания | 2.5 В |
Совместимость | Acer TravelMate 630, 632, 633 Series; MiTAC MiNote 8500; MiTAC MiNote 8575 |