Каталог описаний

Kingston M12864B250

Kingston M12864B250 - описание

1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 266 МГц, CAS Latency (CL): 2.5

Kingston M12864B250 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота266 МГц
Пропускная способность2100 Мб/с
Объем1 модуль 1 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)2.5
Дополнительно
СовместимостьAcer - TravelMate C110 Tablet Series C110, C111, Samsung - X05 NX05, X05 XTC 1400c, ViewSonic - Tablet PC V1250, Tablet PC V1250s