Kingston M12864B250
Kingston M12864B250 - описание
1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 266 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Kingston M12864B250 - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 266 МГц |
| Пропускная способность | 2100 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 2.5 |
| Дополнительно |
| Совместимость | Acer - TravelMate C110 Tablet Series C110, C111, Samsung - X05 NX05, X05 XTC 1400c, ViewSonic - Tablet PC V1250, Tablet PC V1250s |
