Каталог описаний

Kingston KVR533D2D8F4/1G

Kingston KVR533D2D8F4/1G - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 4

Kingston KVR533D2D8F4/1G - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторFB-DIMM 240-контактный
Тактовая частота533 МГц
Пропускная способность4200 Мб/с
Объем1 модуль 1 Гб
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)да
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)4
RAS to CAS Delay (tRCD)4
Row Precharge Delay (tRP)4
Activate to Precharge Delay (tRAS)12
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В
Радиаторесть
Количество ранков2
Дополнительная информацияПамять снабжена микросхемой AMB (Advanced Memory Buffer), которая увеличивает скорость буферизации всех сигналов - синхронизации, адреса, команд и данных в направлении устройства DRAM и обратно.