Kingston KVR333S4R25/512I
Kingston KVR333S4R25/512I - описание
1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5
Kingston KVR333S4R25/512I - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | DIMM 184-контактный |
| Тактовая частота | 333 МГц |
| Пропускная способность | 2700 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | есть |
| Буферизованная (Registered) | да |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 2.5 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 18, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 2.5 В |
| Количество ранков | 1 |
| Дополнительная информация | Intel Validated memory module |
