Каталог описаний

Kingston KVR1333D3D8R9S/4GHB

Kingston KVR1333D3D8R9S/4GHB - описание

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 9

Kingston KVR1333D3D8R9S/4GHB - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1333 МГц
Объем1 модуль 4 Гб
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)да
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)9
RAS to CAS Delay (tRCD)9
Row Precharge Delay (tRP)9
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.5 В
Количество ранков2