Каталог описаний

Kingston KVR1066D3D8R7S/2G

Kingston KVR1066D3D8R7S/2G - описание

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 7

Kingston KVR1066D3D8R7S/2G - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1066 МГц
Объем1 модуль 2 Гб
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)да
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)7
RAS to CAS Delay (tRCD)7
Row Precharge Delay (tRP)7
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.5 В
Количество ранков2