Kingston KTN533SO/1G
Kingston KTN533SO/1G - описание
1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Kingston KTN533SO/1G - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 533 МГц |
| Пропускная способность | 4200 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 4 |
| Дополнительно |
| Совместимость | NEC i-Select M5610, NEC Versa E3100, E6200, E6201, E6210, E6211, M360, P7200, P8100, P8210, S5200. |
