Каталог описаний

Kingston KTN533SO/1G

Kingston KTN533SO/1G - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4

Kingston KTN533SO/1G - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота533 МГц
Пропускная способность4200 Мб/с
Объем1 модуль 1 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)4
Дополнительно
СовместимостьNEC i-Select M5610, NEC Versa E3100, E6200, E6201, E6210, E6211, M360, P7200, P8100, P8210, S5200.