Каталог описаний

Kingston KTD-INSP6000B/4G

Kingston KTD-INSP6000B/4G - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц

Kingston KTD-INSP6000B/4G - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота667 МГц
Пропускная способность5300 Мб/с
Объем1 модуль 4 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет