| Общие характеристики | |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 266 МГц |
| Пропускная способность | 2100 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Дополнительно | |
| Совместимость | M9002G/A (Apple) |