Kingston KHX2000C9AD3T1K3/3GX
Kingston KHX2000C9AD3T1K3/3GX - описание
3 модуля памяти DDR3, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2000 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Kingston KHX2000C9AD3T1K3/3GX - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 2000 МГц |
| Пропускная способность | 16000 Мб/с |
| Объем | 3 модуля по 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 10 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 27 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 8, односторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.65 В |
| Радиатор | есть |
