Kingston KHX11000D3LLK2/1G
Kingston KHX11000D3LLK2/1G - описание
2 модуля памяти DDR3, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1375 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 7
Kingston KHX11000D3LLK2/1G - характеристики
Общие характеристики |
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 1375 МГц |
Пропускная способность | 11000 Мб/с |
Объем | 2 модуля по 512 Мб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги |
CAS Latency (CL) | 7 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 7 |
Row Precharge Delay (tRP) | 7 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 20 |
Дополнительно |
Количество чипов каждого модуля | 8, односторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.7 В |
Радиатор | есть |