Каталог описаний

Kingston KHX11000D3LLK2/1G

Kingston KHX11000D3LLK2/1G - описание

2 модуля памяти DDR3, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1375 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 7

Kingston KHX11000D3LLK2/1G - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1375 МГц
Пропускная способность11000 Мб/с
Объем2 модуля по 512 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)7
RAS to CAS Delay (tRCD)7
Row Precharge Delay (tRP)7
Activate to Precharge Delay (tRAS)20
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля8, односторонняя упаковка
Напряжение питания1.7 В
Радиаторесть