Каталог описаний

Kingston KHX11000D3LL/2G

Kingston KHX11000D3LL/2G - описание

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1375 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 7

Kingston KHX11000D3LL/2G - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1375 МГц
Пропускная способность11000 Мб/с
Объем1 модуль 2 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)7
RAS to CAS Delay (tRCD)7
Row Precharge Delay (tRP)7
Activate to Precharge Delay (tRAS)20
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.7 В
Радиаторесть