GoodRAM GR800S264L6/2G
GoodRAM GR800S264L6/2G - описание
1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
GoodRAM GR800S264L6/2G - характеристики
Общие характеристики |
Тип памяти | DDR2 |
Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Тактовая частота | 800 МГц |
Пропускная способность | 6400 Мб/с |
Объем | 1 модуль 2 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги |
CAS Latency (CL) | 6 |
Дополнительно |
Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.8 В |
Количество ранков | 2 |