GoodRAM GR800D264L6/4G
GoodRAM GR800D264L6/4G - описание
1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
GoodRAM GR800D264L6/4G - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 800 МГц |
| Пропускная способность | 6400 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 6 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 6 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 6 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 18 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.8 В |
| Количество ранков | 2 |
