Каталог описаний

GoodRAM GR533DD64L4/256

GoodRAM GR533DD64L4/256 - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4

GoodRAM GR533DD64L4/256 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота533 МГц
Пропускная способность4200 Мб/с
Объем1 модуль 256 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)4
RAS to CAS Delay (tRCD)4
Row Precharge Delay (tRP)4
Activate to Precharge Delay (tRAS)12
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля4, односторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В