Каталог описаний

GoodRAM GR333S64L25/1G

GoodRAM GR333S64L25/1G - описание

1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5

GoodRAM GR333S64L25/1G - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота333 МГц
Пропускная способность2700 Мб/с
Объем1 модуль 1 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)2.5
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания2.5 В
Количество ранков2