GoodRAM GR333S64L25/1G
GoodRAM GR333S64L25/1G - описание
1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
GoodRAM GR333S64L25/1G - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 333 МГц |
| Пропускная способность | 2700 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 2.5 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 2.5 В |
| Количество ранков | 2 |
