Каталог описаний

GoodRAM GR1333S364L8/1G

GoodRAM GR1333S364L8/1G - описание

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 8

GoodRAM GR1333S364L8/1G - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторSODIMM 204-контактный
Тактовая частота1333 МГц
Пропускная способность10600 Мб/с
Объем1 модуль 1 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)8
RAS to CAS Delay (tRCD)8
Row Precharge Delay (tRP)8
Activate to Precharge Delay (tRAS)24
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля8, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.5 В
Количество ранков2