GoodRAM GR1333S364L8/1G
GoodRAM GR1333S364L8/1G - описание
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 8
GoodRAM GR1333S364L8/1G - характеристики
Общие характеристики |
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
Тактовая частота | 1333 МГц |
Пропускная способность | 10600 Мб/с |
Объем | 1 модуль 1 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги |
CAS Latency (CL) | 8 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 8 |
Row Precharge Delay (tRP) | 8 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 24 |
Дополнительно |
Количество чипов каждого модуля | 8, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.5 В |
Количество ранков | 2 |