Каталог описаний

GoodRAM GR1066S364L7/1G

GoodRAM GR1066S364L7/1G - описание

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1066 МГц, CAS Latency (CL): 7

GoodRAM GR1066S364L7/1G - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторSODIMM 204-контактный
Тактовая частота1066 МГц
Пропускная способность8500 Мб/с
Объем1 модуль 1 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)7
RAS to CAS Delay (tRCD)7
Row Precharge Delay (tRP)7
Activate to Precharge Delay (tRAS)20
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля8, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.5 В
Количество ранков2