G.SKILL F2-6400CL6S-4GBSQ
G.SKILL F2-6400CL6S-4GBSQ - описание
1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
G.SKILL F2-6400CL6S-4GBSQ - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 800 МГц |
| Пропускная способность | 6400 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 6 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 6 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 6 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 18 |
| Дополнительно |
| Напряжение питания | 1.8 В |
