G.SKILL F2-6400CL6D-8GBSQ
G.SKILL F2-6400CL6D-8GBSQ - описание
2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
G.SKILL F2-6400CL6D-8GBSQ - характеристики
Общие характеристики |
Тип памяти | DDR2 |
Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Тактовая частота | 800 МГц |
Пропускная способность | 6400 Мб/с |
Объем | 2 модуля по 4 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги |
CAS Latency (CL) | 6 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 6 |
Row Precharge Delay (tRP) | 6 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 18 |
Дополнительно |
Напряжение питания | 1.8 В |