Каталог описаний

G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNY

G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNY - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5

G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNY - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота800 МГц
Объем1 модуль 1 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)5
RAS to CAS Delay (tRCD)5
Row Precharge Delay (tRP)5
Activate to Precharge Delay (tRAS)15
Дополнительно
Напряжение питания1.8 В