Каталог описаний

G.SKILL F1-3200CL3S-1GBSA

G.SKILL F1-3200CL3S-1GBSA - описание

1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3

G.SKILL F1-3200CL3S-1GBSA - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота400 МГц
Пропускная способность3200 Мб/с
Объем1 модуль 1 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)3
Дополнительно
Напряжение питания2.75 В