Общие характеристики | |
Тип памяти | DDR2 |
Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Тактовая частота | 667 МГц |
Пропускная способность | 5300 Мб/с |
Объем | 2 модуля по 512 Мб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 5 |
Дополнительно | |
Напряжение питания | 1.8 В |