Corsair TWINX512-3200
Corsair TWINX512-3200 - описание
2 модуля памяти DDR, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 3
Corsair TWINX512-3200 - характеристики
Общие характеристики |
Тип памяти | DDR |
Форм-фактор | DIMM 184-контактный |
Тактовая частота | 400 МГц |
Пропускная способность | 3200 Мб/с |
Объем | 2 модуля по 256 Мб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги |
CAS Latency (CL) | 3 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 3 |
Row Precharge Delay (tRP) | 3 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 8 |
Дополнительно |
Радиатор | есть |