Corsair CMP8GX3M2B1333C9
Corsair CMP8GX3M2B1333C9 - описание
2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Corsair CMP8GX3M2B1333C9 - характеристики
Общие характеристики |
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 1333 МГц |
Пропускная способность | 10666 Мб/с |
Объем | 2 модуля по 4 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги |
CAS Latency (CL) | 9 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 24 |
Дополнительно |
Напряжение питания | 1.6 В |
Радиатор | есть |