AENEON AEH860SD00-10F
AENEON AEH860SD00-10F - описание
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1066 МГц, CAS Latency (CL): 7
AENEON AEH860SD00-10F - характеристики
Общие характеристики |
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
Тактовая частота | 1066 МГц |
Объем | 1 модуль 2 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги |
CAS Latency (CL) | 7 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 7 |
Row Precharge Delay (tRP) | 7 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 21 |
Дополнительно |
Напряжение питания | 1.5 В |