Каталог описаний

Toshiba PA3512U-1M1G

Toshiba PA3512U-1M1G - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц

Toshiba PA3512U-1M1G - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота667 МГц
Пропускная способность5300 Мб/с
Объем1 модуль 1 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Дополнительно
Напряжение питания1.8 В