Каталог описаний

Toshiba PA3412U-2M51

Toshiba PA3412U-2M51 - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения

Toshiba PA3412U-2M51 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота533 МГц
Пропускная способность4300 Мб/с
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Дополнительно
Радиаторесть
СовместимостьTecra M3 / S3 / M4 / M5 ; Qosmio-G20 / -F20 / -G30 / -F30 ; Portйgй R200 / M400 ; Satellite M60 / A100 / M70 / L100 / M100 / P100 / U200