Каталог описаний

Team Group TVDR512M400C3

Team Group TVDR512M400C3 - описание

1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3

Team Group TVDR512M400C3 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторDIMM
Тактовая частота400 МГц
Пропускная способность3200 Мб/с
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)3
RAS to CAS Delay (tRCD)4
Row Precharge Delay (tRP)4
Activate to Precharge Delay (tRAS)8
Дополнительно
Напряжение питания2.7 В
Дополнительная информацияCL 2.5 или 3, количество чипов каждого модуля - 8 или 16