Team Group TVDR256M400C3
Team Group TVDR256M400C3 - описание
1 модуль памяти DDR, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Team Group TVDR256M400C3 - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | DIMM |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Пропускная способность | 3200 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 256 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 3 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 8 |
| Дополнительно |
| Напряжение питания | 2.7 В |
| Дополнительная информация | количество чипов каждого модуля - 4 или 8 |
