Team Group TVDD256M533C4
Team Group TVDD256M533C4 - описание
1 модуль памяти DDR2, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Team Group TVDD256M533C4 - характеристики
Общие характеристики |
Тип памяти | DDR2 |
Форм-фактор | DIMM |
Тактовая частота | 533 МГц |
Пропускная способность | 4200 Мб/с |
Объем | 1 модуль 256 Мб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги |
CAS Latency (CL) | 4 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 12 |
Дополнительно |
Напряжение питания | 1.8 В |
Дополнительная информация | количество чипов каждого модуля - 4 или 8 |