Team Group TSDD512M667C5S
Team Group TSDD512M667C5S - описание
1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TSDD512M667C5S - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 667 МГц |
| Пропускная способность | 5300 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 5 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 15 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 8 |
| Напряжение питания | 1.8 В |
